商品型号： IRFD024PBF
制造厂商： VISHAY(威世)
封装规格： HVMDIP
商品毛重： 0.30g
商品编号： CY290978
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.1738
10+
￥7.0869
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A | |
| 类型 | N沟道 |
IRFD024PBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFD024PBF价格参考￥7.173800。VISHAY(威世)IRFD024PBF封装/规格：HVMDIP,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 1.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：N沟道
手机版：IRFD024PBF
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