商品型号： HSP8N50
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.74g
商品编号： CY790527
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.1418
10+
￥2.1191
30+
￥2.0964
100+
￥2.0737
500+
￥2.051
1000+
￥2.0255
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A | |
| 类型 | N沟道 |
HSP8N50由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSP8N50价格参考￥2.141800。HUASHUO(华朔)HSP8N50封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W 类型：N沟道
手机版：HSP8N50
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