商品型号: CRST040N10N
制造厂商: CRMICRO(华润微)
封装规格: TO-220
商品毛重: 2.70g
商品编号: CY616546
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥6.4575
10+
¥6.3829
30+
¥6.3083
100+
¥6.2337
500+
¥6.1558
1000+
¥6.0779
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 |
CRST040N10N由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRST040N10N价格参考¥6.457500。CRMICRO(华润微)CRST040N10N封装/规格:TO-220,连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道
手机版:CRST040N10N
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