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CRST040N10N

商品型号: CRST040N10N

制造厂商: CRMICRO(华润微)

封装规格: TO-220

商品毛重: 2.70g

商品编号: CY616546

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道

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CRST040N10N由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRST040N10N价格参考¥6.457500。CRMICRO(华润微)CRST040N10N封装/规格:TO-220,连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):227W(Tc) 类型:N沟道

手机版:CRST040N10N