商品型号： BRA4N60
制造厂商： BLUE ROCKET(蓝箭)
封装规格： TO-262
商品毛重： 2.22g
商品编号： CY204646
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥8.0289
10+
￥8.026
30+
￥8.0208
100+
￥8.0156
500+
￥8.0104
1000+
￥8.0052
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
BRA4N60由BLUE ROCKET(蓝箭)设计生产,在芯云购商城现货销售,BRA4N60价格参考￥8.028900。BLUE ROCKET(蓝箭)BRA4N60封装/规格：TO-262,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
手机版：BRA4N60
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