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KIA2N60HP

商品型号: KIA2N60HP

制造厂商: KIA 半导体

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 3.67g

商品编号: CY160380

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,2A

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 600V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,2A

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KIA2N60HP由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA2N60HP价格参考¥1.045000。KIA 半导体KIA2N60HP封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):600V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:5Ω @ 1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):55.5W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,600V,2A

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