商品型号： IGW30N60T
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO247-3
商品毛重： 8.00g
商品编号： CY703983
数据手册：
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商品描述： 栅极阈值电压-VGE(th)：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.05V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止
数量
价格
1+
￥9.2814
10+
￥9.2354
30+
￥9.1894
100+
￥9.1434
500+
￥9.0974
1000+
￥9.0487
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管 | |
| 集射极击穿电压（最大值） | 600V | |
| 类型 | 沟槽型场截止 | |
| 栅极阈值电压-VGE(th) | - |
IGW30N60T由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IGW30N60T价格参考￥9.281400。Infineon(英飞凌)IGW30N60T封装/规格：PG-TO247-3,栅极阈值电压-VGE(th)：- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.05V @ 15V,30A 集电极电流（Ic）（最大值）：60A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：沟槽型场截止
手机版：IGW30N60T
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