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FDP045N10A-F102

商品型号: FDP045N10A-F102

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 2.16g

商品编号: CY523882

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):263W 类型:N沟道 N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):263W 类型:N沟道 N沟道

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FDP045N10A-F102由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP045N10A-F102价格参考¥1.561000。ON(安森美)FDP045N10A-F102封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):120A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 100A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):263W 类型:N沟道 N沟道

手机版:FDP045N10A-F102