商品型号： RU60E25L
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.46g
商品编号： CY701002
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,25A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
RU60E25L由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU60E25L价格参考￥9.200500。Ruichips(锐骏半导体)RU60E25L封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.7V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,25A
手机版：RU60E25L
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