商品型号: KNB3508A
制造厂商: KIA 半导体
封装规格: TO-263
商品毛重: 1.63g
商品编号: CY311859
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥7.3908
10+
¥7.3274
30+
¥7.264
100+
¥7.198
500+
¥7.132
1000+
¥7.066
品牌: ST(意法半导体)
封装: RD91
¥38.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 70V | |
最大功率耗散(Ta=25°C) | - | |
类型 | N沟道 |
KNB3508A由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNB3508A价格参考¥7.390800。KIA 半导体KNB3508A封装/规格:TO-263,连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):70V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
手机版:KNB3508A
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