商品型号: WSG02N20
制造厂商: WINSOK微硕
封装规格: SOT-223
商品毛重: 0.17g
商品编号: CY985828
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:410mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):18W 类型:N沟道 N沟道.200V.2A.310mΩ
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封装: 20.2x10x15.5
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
类型 | N沟道 |
WSG02N20由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSG02N20价格参考¥3.100200。WINSOK微硕WSG02N20封装/规格:SOT-223,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:410mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):18W 类型:N沟道 N沟道.200V.2A.310mΩ
手机版:WSG02N20
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