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L2SK801LT1G

商品型号: L2SK801LT1G

制造厂商: LRC(乐山无线电)

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY989385

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

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数   量: X ¥4.3457

总   价: ¥86.91

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
最大功率耗散(Ta=25°C) 300mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

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L2SK801LT1G由LRC(乐山无线电)设计生产,在芯云购商城现货销售,L2SK801LT1G价格参考¥4.345700。LRC(乐山无线电)L2SK801LT1G封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):310mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5Ω @ 500mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):300mW 类型:N沟道 N沟道,60V,0.31A,1.5Ω@1.8V

手机版:L2SK801LT1G