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IPD50R500CEAUMA1

商品型号： IPD50R500CEAUMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY268192

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 2.3A,13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,550V,7.6A,500mΩ@13V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	550V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 2.3A,13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,550V,7.6A,500mΩ@13V

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IPD50R500CEAUMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD50R500CEAUMA1价格参考￥8.520800。Infineon(英飞凌)IPD50R500CEAUMA1封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：550V 栅源极阈值电压：3.5V @ 200uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 2.3A,13V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,550V,7.6A,500mΩ@13V

手机版：IPD50R500CEAUMA1