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CSD25404Q3T

商品型号: CSD25404Q3T

制造厂商: TI(德州仪器)

封装规格: VSON-CLIP-8

商品毛重: 1.01g

商品编号: CY390964

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):104A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.15V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:P沟道 CSD25404Q3 CSD25404Q3

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 20V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):104A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.15V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:P沟道 CSD25404Q3 CSD25404Q3

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CSD25404Q3T由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD25404Q3T价格参考¥6.565800。TI(德州仪器)CSD25404Q3T封装/规格:VSON-CLIP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):104A(Tc) 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.15V @ 250uA 漏源导通电阻:6.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):96W(Tc) 类型:P沟道 CSD25404Q3 CSD25404Q3

手机版:CSD25404Q3T