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RHP020N06T100

商品型号： RHP020N06T100

制造厂商： ROHM(罗姆)

封装规格： SOT-89(SOT-89-3)

商品毛重： 0.13g

商品编号： CY449298

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：200mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,60V,2A,200mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	2A
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：200mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,60V,2A,200mΩ@10V

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RHP020N06T100由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RHP020N06T100价格参考￥5.169500。ROHM(罗姆)RHP020N06T100封装/规格：SOT-89(SOT-89-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：200mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,60V,2A,200mΩ@10V

手机版：RHP020N06T100