商品型号： WSD2068
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN 2x3
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY200018
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：15.5mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道 双N沟道.20V.7.5A.15.5mΩ
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.5A | |
| 类型 | 双N沟道 |
WSD2068由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD2068价格参考￥6.269100。WINSOK微硕WSD2068封装/规格：DFN 2x3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：15.5mΩ @ 5.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道 双N沟道.20V.7.5A.15.5mΩ
手机版：WSD2068
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