商品型号： VB2355
制造厂商： VBsemi(台湾微碧)
封装规格： SOT-23-3
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY583101
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-30V,-5.6A,36mΩ@-10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | P沟道 |
VB2355由VBsemi(台湾微碧)设计生产,在芯云购商城现货销售,VB2355价格参考￥1.259800。VBsemi(台湾微碧)VB2355封装/规格：SOT-23-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,-30V,-5.6A,36mΩ@-10V
手机版：VB2355
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