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首页 > 晶体管 > MOS(场效应管) > CSD17578Q3AT

CSD17578Q3AT
  • CSD17578Q3AT
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CSD17578Q3AT

商品型号： CSD17578Q3AT

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： DNH-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY991920

数据手册： 在线预览

商品描述： CSD17578Q3AT 21 DNH-8

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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商品目录 MOS(场效应管)

CSD17578Q3AT

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17578Q3A 的特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(on)
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装


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CSD17578Q3AT由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD17578Q3AT价格参考￥10.000000。TI(德州仪器)CSD17578Q3AT封装/规格：DNH-8,CSD17578Q3AT 21 DNH-8

手机版：CSD17578Q3AT

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