商品型号： FGW40N120WE
制造厂商： FUJI(富士电机)
封装规格： TO-247
商品毛重： 10.00g
商品编号： CY299530
数据手册：
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商品描述： 类型:NPT 和沟道 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:6.5A 栅极阈值电压-VGE(th):5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,30A
数量
价格
1+
￥20
10+
￥19
100+
￥18.5
1000+
￥18
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管 | |
| 类型 | NPT 和沟道 | |
| 集射极击穿电压（最大值） | 1200V | |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 6.5A | |
| 栅极阈值电压-VGE(th) | 5V @ 250uA | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 1.35V @ 15V,30A |
FGW40N120WE 高频快速IGBT单管 FGW40N120WE
FGW40N120WE由FUJI(富士电机)设计生产,在芯云购商城现货销售,FGW40N120WE价格参考￥20.000000。FUJI(富士电机)FGW40N120WE封装/规格：TO-247,类型:NPT 和沟道 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:6.5A 栅极阈值电压-VGE(th):5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.35V @ 15V,30A
手机版：FGW40N120WE
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