商品型号： DWM100X2-12N
制造厂商： DW 韩国大卫
封装规格： SOT-227
商品毛重： 20.00g
商品编号： CY814374
数据手册：
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商品描述： 类型:NPT 和沟道 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:14.7A 栅极阈值电压-VGE(th):5.5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.5V @ 15V,31A
数量
价格
1+
￥145
10+
￥140
100+
￥135
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管 | |
| 类型 | NPT 和沟道 | |
| 集射极击穿电压（最大值） | 1200V | |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 14.7A | |
| 栅极阈值电压-VGE(th) | 5.5V @ 250uA | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 1.5V @ 15V,31A |
DWM100X2-12N 快恢复二极管 DWM2F100N120 SOT-227
DWM100X2-12N由DW 韩国大卫设计生产,在芯云购商城现货销售,DWM100X2-12N价格参考￥145.000000。DW 韩国大卫DWM100X2-12N封装/规格：SOT-227,类型:NPT 和沟道 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:14.7A 栅极阈值电压-VGE(th):5.5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.5V @ 15V,31A
手机版：DWM100X2-12N
20万现货SKU
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