商品型号： FF200R12KS4
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： IGBT
商品毛重： 200.00g
商品编号： CY665410
数据手册：
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商品描述： 类型:NPT 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:6.5A 栅极阈值电压-VGE(th):2.1V @ 1mA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.4V @ 15V,30A
数量
价格
1+
￥490
10+
￥480
50+
￥450
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管 | |
| 类型 | NPT | |
| 集射极击穿电压（最大值） | 1200V | |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 6.5A | |
| 栅极阈值电压-VGE(th) | 2.1V @ 1mA | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 1.4V @ 15V,30A |
FF200R12KS4 英飞凌IGBT模块 FF200R12KS4
FF200R12KS4由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,FF200R12KS4价格参考￥490.000000。Infineon(英飞凌)FF200R12KS4封装/规格：IGBT,类型:NPT 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:6.5A 栅极阈值电压-VGE(th):2.1V @ 1mA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.4V @ 15V,30A
手机版：FF200R12KS4
20万现货SKU
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