商品型号： FP40R12KT3
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： IGBT
商品毛重： 120.00g
商品编号： CY697800
数据手册：
在线预览
商品描述： 类型:NPT 和沟道 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:9A 栅极阈值电压-VGE(th):5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.5V @ 15V,31A
数量
价格
1+
￥230
10+
￥220
100+
￥210
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管 | |
| 类型 | NPT 和沟道 | |
| 集射极击穿电压（最大值） | 1200V | |
| 集电极电流（Ic）（最大值） | 9A | |
| 栅极阈值电压-VGE(th) | 5V @ 250uA | |
| 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） | 1.5V @ 15V,31A |
FP40R12KT3 英飞凌IGBT模块 FP40R12KT3
FP40R12KT3由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,FP40R12KT3价格参考￥230.000000。Infineon(英飞凌)FP40R12KT3封装/规格：IGBT,类型:NPT 和沟道 集射极击穿电压（最大值）:1200V 集电极电流（Ic）（最大值）:9A 栅极阈值电压-VGE(th):5V @ 250uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）:1.5V @ 15V,31A
手机版：FP40R12KT3
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监