商品型号： IXFH22N65X2
制造厂商： IXYS
封装规格： TO-247
商品毛重： 10.00g
商品编号： CY345813
数据手册：
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商品描述： 类型:N沟道P沟道 漏源电压（Vdss）:13.5V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）:5mA 栅源极阈值电压:400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻:0.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）:140mW
数量
价格
1+
￥12
10+
￥10
100+
￥9.65
1000+
￥9.5
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道P沟道 | |
| 漏源电压（Vdss） | 13.5V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5mA | |
| 栅源极阈值电压 | 400mV @ 1mA(最小) | |
| 漏源导通电阻 | 0.7mΩ @ 30A,10V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 140mW |
IXFH22N65X2 IXYS艾赛斯场效应MOS管 IXFH22N65X2 22A 650V
IXFH22N65X2由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFH22N65X2价格参考￥12.000000。IXYSIXFH22N65X2封装/规格：TO-247,类型:N沟道P沟道 漏源电压（Vdss）:13.5V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）:5mA 栅源极阈值电压:400mV @ 1mA(最小) 漏源导通电阻:0.7mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）:140mW
手机版：IXFH22N65X2
20万现货SKU
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