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AUIRF3710ZS

商品型号: AUIRF3710ZS

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: D2PAK

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY064648

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):59A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):59A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道

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AUIRF3710ZS由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,AUIRF3710ZS价格参考¥7.307100。Infineon(英飞凌)AUIRF3710ZS封装/规格:D2PAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):59A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):160W(Tc) 类型:N沟道

手机版:AUIRF3710ZS