商品型号： IRL40T209
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-HSOF-8
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY668967
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：0.72mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 漏源导通电阻 | 0.72mΩ @ 100A, 10V | |
| 类型 | N沟道 |
IRL40T209由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRL40T209价格参考￥8.089000。Infineon(英飞凌)IRL40T209封装/规格：PG-HSOF-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：0.72mΩ @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IRL40T209
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