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IRFS4229TRLPBF

商品型号： IRFS4229TRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： D2PAK

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY022046

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：2.4V @ 39uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：330W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	250V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：2.4V @ 39uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：330W (Tc) 类型：N沟道

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IRFS4229TRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFS4229TRLPBF价格参考￥1.154100。Infineon(英飞凌)IRFS4229TRLPBF封装/规格：D2PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：45A(Tc) 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：2.4V @ 39uA 漏源导通电阻：48mΩ @ 26A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：330W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IRFS4229TRLPBF