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IRFP4127PBF

商品型号: IRFP4127PBF

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: TO247

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY710014

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 44A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):341W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 200V
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 44A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):341W(Tc) 类型:N沟道

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IRFP4127PBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFP4127PBF价格参考¥4.001200。Infineon(英飞凌)IRFP4127PBF封装/规格:TO247,连续漏极电流(Id)(25°C 时):75A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:21mΩ @ 44A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):341W(Tc) 类型:N沟道

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