商品型号： IRFIZ34NPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： FULLPAK220
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY267616
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
IRFIZ34NPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFIZ34NPBF价格参考￥7.014900。Infineon(英飞凌)IRFIZ34NPBF封装/规格：FULLPAK220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：37W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IRFIZ34NPBF
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