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IPZ40N04S5-8R4

商品型号： IPZ40N04S5-8R4

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TSDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY618239

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.4V @ 10uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.4V @ 10uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W (Tc) 类型：N沟道

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IPZ40N04S5-8R4由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPZ40N04S5-8R4价格参考￥9.118800。Infineon(英飞凌)IPZ40N04S5-8R4封装/规格：PG-TSDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：3.4V @ 10uA 漏源导通电阻：8.4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：34W (Tc) 类型：N沟道

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