商品型号： IPT60R022S7
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-HSOF-8
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY492743
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.44mA 漏源导通电阻：22mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：390W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
IPT60R022S7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPT60R022S7价格参考￥3.311400。Infineon(英飞凌)IPT60R022S7封装/规格：PG-HSOF-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：23A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 1.44mA 漏源导通电阻：22mΩ @ 23A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：390W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPT60R022S7
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