商品型号： IPL65R099C7
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-VSON-4
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY806649
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 590uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 5.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：128W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
IPL65R099C7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPL65R099C7价格参考￥9.195400。Infineon(英飞凌)IPL65R099C7封装/规格：PG-VSON-4,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 590uA 漏源导通电阻：99mΩ @ 5.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：128W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IPL65R099C7
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