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IPI80N04S4-03

商品型号: IPI80N04S4-03

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: PG-TO262-3

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY200121

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 53uA 漏源导通电阻:3.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):94W(Tc) 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 40V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 53uA 漏源导通电阻:3.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):94W(Tc) 类型:N沟道

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IPI80N04S4-03由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPI80N04S4-03价格参考¥5.231200。Infineon(英飞凌)IPI80N04S4-03封装/规格:PG-TO262-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:4V @ 53uA 漏源导通电阻:3.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):94W(Tc) 类型:N沟道

手机版:IPI80N04S4-03