商品型号: IPG20N10S4-36A
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: PG-TDSON-8
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY572195
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 16uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 17A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W 类型:双N沟道
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 20A | |
类型 | 双N沟道 |
IPG20N10S4-36A由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPG20N10S4-36A价格参考¥5.284000。Infineon(英飞凌)IPG20N10S4-36A封装/规格:PG-TDSON-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):-100V 栅源极阈值电压:3.5V @ 16uA 漏源导通电阻:36mΩ @ 17A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):43W 类型:双N沟道
手机版:IPG20N10S4-36A
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