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IPG20N04S4L-08

商品型号： IPG20N04S4L-08

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY779200

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 22?A 漏源导通电阻：10.9mOhm @ 10A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	20A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 22?A 漏源导通电阻：10.9mOhm @ 10A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W (Tc) 类型：N沟道

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IPG20N04S4L-08由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPG20N04S4L-08价格参考￥6.295200。Infineon(英飞凌)IPG20N04S4L-08封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.2V @ 22?A 漏源导通电阻：10.9mOhm @ 10A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IPG20N04S4L-08