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IPD90N04S4-02

商品型号： IPD90N04S4-02

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TO252-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY370303

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 95?A 漏源导通电阻：2.4mOhm @ 90A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	40V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 95?A 漏源导通电阻：2.4mOhm @ 90A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W (Tc) 类型：N沟道

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IPD90N04S4-02由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD90N04S4-02价格参考￥2.380900。Infineon(英飞凌)IPD90N04S4-02封装/规格：PG-TO252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 95?A 漏源导通电阻：2.4mOhm @ 90A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W (Tc) 类型：N沟道

手机版：IPD90N04S4-02