商品型号： IPD60R180C7
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO252-3
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY039327
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 260uA 漏源导通电阻：180mOhm @ 5.3A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W (Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13A | |
| 类型 | N沟道 |
IPD60R180C7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD60R180C7价格参考￥3.076000。Infineon(英飞凌)IPD60R180C7封装/规格：PG-TO252-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 260uA 漏源导通电阻：180mOhm @ 5.3A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W (Tc) 类型：N沟道
手机版：IPD60R180C7
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