商品型号: IPP16CN10NGXKSA1
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: TO-220(TO-220-3)
商品毛重: 2.64g
商品编号: CY190992
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 61uA 漏源导通电阻:16.5mΩ @ 53A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,53A,16.5mΩ@10V
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价格
1+
¥7.5194
10+
¥7.4332
30+
¥7.347
100+
¥7.2608
500+
¥7.1746
1000+
¥7.0884
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | N沟道 |
IPP16CN10NGXKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP16CN10NGXKSA1价格参考¥7.519400。Infineon(英飞凌)IPP16CN10NGXKSA1封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 61uA 漏源导通电阻:16.5mΩ @ 53A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,53A,16.5mΩ@10V
手机版:IPP16CN10NGXKSA1
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