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IPP16CN10NGXKSA1

商品型号: IPP16CN10NGXKSA1

制造厂商: Infineon(英飞凌)

封装规格: TO-220(TO-220-3)

商品毛重: 2.64g

商品编号: CY190992

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 61uA 漏源导通电阻:16.5mΩ @ 53A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,53A,16.5mΩ@10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 61uA 漏源导通电阻:16.5mΩ @ 53A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,53A,16.5mΩ@10V

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IPP16CN10NGXKSA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPP16CN10NGXKSA1价格参考¥7.519400。Infineon(英飞凌)IPP16CN10NGXKSA1封装/规格:TO-220(TO-220-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):53A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:4V @ 61uA 漏源导通电阻:16.5mΩ @ 53A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):100W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,100V,53A,16.5mΩ@10V

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