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ZXMN3F30FHTA

商品型号： ZXMN3F30FHTA

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY646907

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：950mW 类型：N沟道 N沟道,30V,4.6A,47mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：950mW 类型：N沟道 N沟道,30V,4.6A,47mΩ@10V

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ZXMN3F30FHTA由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,ZXMN3F30FHTA价格参考￥3.537900。DIODES(美台)ZXMN3F30FHTA封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.6A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：47mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：950mW 类型：N沟道 N沟道,30V,4.6A,47mΩ@10V

手机版：ZXMN3F30FHTA