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CED4201

商品型号： CED4201

制造厂商： CET(华瑞)

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 0.63g

商品编号： CY762918

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,40V,28A,26mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,40V,28A,26mΩ@10V

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CED4201由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CED4201价格参考￥5.561000。CET(华瑞)CED4201封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-40V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：26mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：P沟道 P沟道,40V,28A,26mΩ@10V

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