商品型号： RU190N08Q
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： TO-247(AC)
商品毛重： 7.73g
商品编号： CY606265
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：326W 类型：N沟道 N沟道,80V,190A,4.8mΩ@10V
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1+
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10+
￥8.1777
30+
￥8.1433
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￥8.1089
500+
￥8.0726
1000+
￥8.0363
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 类型 | N沟道 |
RU190N08Q由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU190N08Q价格参考￥8.212100。Ruichips(锐骏半导体)RU190N08Q封装/规格：TO-247(AC),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：190A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.8mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：326W 类型：N沟道 N沟道,80V,190A,4.8mΩ@10V
手机版：RU190N08Q
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