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CSD87502Q2

商品型号: CSD87502Q2

制造厂商: TI(德州仪器)

封装规格: WSON-6

商品毛重: 1.00g

商品编号: CY259264

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:32.4mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.3W 类型:双N沟道 CSD87502Q2 CSD87502Q2

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 5A
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:32.4mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.3W 类型:双N沟道 CSD87502Q2 CSD87502Q2

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CSD87502Q2由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD87502Q2价格参考¥5.155700。TI(德州仪器)CSD87502Q2封装/规格:WSON-6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:32.4mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.3W 类型:双N沟道 CSD87502Q2 CSD87502Q2

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