商品型号： RU1Z200Q
制造厂商： Ruichips(锐骏半导体)
封装规格： TO-247(AC)
商品毛重： 8.43g
商品编号： CY525303
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：600W 类型：N沟道 N-Channel 150V/200A 5.5mΩ@10V TO-247
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价格
1+
￥1.354
10+
￥1.2964
30+
￥1.2388
100+
￥1.1812
500+
￥1.1208
1000+
￥1.0604
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 600W | |
| 类型 | N沟道 |
RU1Z200Q由Ruichips(锐骏半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,RU1Z200Q价格参考￥1.354000。Ruichips(锐骏半导体)RU1Z200Q封装/规格：TO-247(AC),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：200A 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：600W 类型：N沟道 N-Channel 150V/200A 5.5mΩ@10V TO-247
手机版：RU1Z200Q
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