商品型号： CEP60N10
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 1.31g
商品编号： CY338075
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：57A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,57A,24mΩ@10V
数量
价格
1+
￥5.3754
10+
￥5.315
30+
￥5.252
100+
￥5.189
500+
￥5.126
1000+
￥5.063
品牌： ST(意法半导体)
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
CEP60N10由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CEP60N10价格参考￥5.375400。CET(华瑞)CEP60N10封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：57A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：24mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,57A,24mΩ@10V
手机版：CEP60N10
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