商品型号： CJP85N80
制造厂商： CJ(江苏长电 长晶)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.67g
商品编号： CY794629
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,85V,80A,8.5mΩ@10V
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￥5.2106
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￥5.1404
1000+
￥5.0702
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 85V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2W | |
| 类型 | N沟道 |
CJP85N80由CJ(江苏长电 长晶)设计生产,在芯云购商城现货销售,CJP85N80价格参考￥5.417900。CJ(江苏长电 长晶)CJP85N80封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2W 类型：N沟道 N沟道,85V,80A,8.5mΩ@10V
手机版：CJP85N80
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