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BSS670S2L H6327

商品型号： BSS670S2L H6327

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT23-3

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY297046

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 2.7uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 270mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW(Ta) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 2.7uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 270mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW(Ta) 类型：N沟道

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BSS670S2L H6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS670S2L H6327价格参考￥3.010600。Infineon(英飞凌)BSS670S2L H6327封装/规格：PG-SOT23-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：540mA 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：2V @ 2.7uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 270mA, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW(Ta) 类型：N沟道

手机版：BSS670S2L H6327