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BSD316SN H6327

商品型号： BSD316SN H6327

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT363-6

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY453943

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 3.7uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.5W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
最大功率耗散（Ta=25°C）	0.5W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 3.7uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.5W 类型：N沟道

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BSD316SN H6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSD316SN H6327价格参考￥4.027400。Infineon(英飞凌)BSD316SN H6327封装/规格：PG-SOT363-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.4A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2V @ 3.7uA 漏源导通电阻：160mΩ @ 1.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：0.5W 类型：N沟道

手机版：BSD316SN H6327