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BSD214SN H6327

商品型号： BSD214SN H6327

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT363-6

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY209151

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1.5A
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道

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BSD214SN H6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSD214SN H6327价格参考￥9.037400。Infineon(英飞凌)BSD214SN H6327封装/规格：PG-SOT363-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 3.7uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 1.5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道

手机版：BSD214SN H6327