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BSC500N20NS3 G

商品型号： BSC500N20NS3 G

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-TDSON-8

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY455627

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 60?A 漏源导通电阻：50mOhm @ 22A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W (Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	200V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	24A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 60?A 漏源导通电阻：50mOhm @ 22A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W (Tc) 类型：N沟道

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BSC500N20NS3 G由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC500N20NS3 G价格参考￥2.051600。Infineon(英飞凌)BSC500N20NS3 G封装/规格：PG-TDSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 60?A 漏源导通电阻：50mOhm @ 22A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：96W (Tc) 类型：N沟道

手机版：BSC500N20NS3 G