商品型号： BSC0925ND
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TISON-8
商品毛重： 1.00g
商品编号： CY114119
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 15A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | 双N沟道 |
BSC0925ND由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSC0925ND价格参考￥5.074800。Infineon(英飞凌)BSC0925ND封装/规格：PG-TISON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道
手机版：BSC0925ND
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