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IRFR6215TRLPBF

商品型号： IRFR6215TRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： DPAK

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY129815

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：295mΩ @ 6.6A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：P沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：295mΩ @ 6.6A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：P沟道

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IRFR6215TRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFR6215TRLPBF价格参考￥9.231600。Infineon(英飞凌)IRFR6215TRLPBF封装/规格：DPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：295mΩ @ 6.6A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：P沟道

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