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IRF5210STRRPBF

商品型号： IRF5210STRRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： D2PAK

商品毛重： 1.00g

商品编号： CY235150

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 38A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Ta),170W(Tc) 类型：P沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 38A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Ta),170W(Tc) 类型：P沟道

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IRF5210STRRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF5210STRRPBF价格参考￥8.335000。Infineon(英飞凌)IRF5210STRRPBF封装/规格：D2PAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 38A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W(Ta),170W(Tc) 类型：P沟道

手机版：IRF5210STRRPBF